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微區螢光光譜元素分析儀|iXRF|μ-XRF (spot size: 5um)

iXRF μ- XRF technique

.5 微米空間解析度:5 µm spot size
.高S/N值
.高準確度與精確度:降低 XRF peak 重疊問題
.待測物型態多樣化:無導電樣品、固態、液態、粉末皆可分析
.高乘載、大面積樣品台:適用於封裝後積體電路板分析與鍍層厚度測試 (400x300 mm mapping)

XRF 適用於半導體 IC 封裝製程的品管檢測,快速找出問題點,確保封裝過程品質與產品良率:

◆ IC 上晶圓凸塊 Wafer Bumping 元素分析

◆ 金屬薄膜元素分析

◆ 金屬電鍍層厚度檢測

◆ XRF mapping 影像檢測: IC 上的有機污染物或電鍍銅 RDL 線路間的金屬殘留物資訊

具有空間高解析度:spot size 5μm

上半部的右圖 ATLAS iXRF 透過 Poly-capillary 聚焦光學配件,將 X-ray 光源得以垂直方向照射於樣品表面,確保光束 (spot size) 圓形形狀的維持穩定,並縮小至微區 5 μm解析度來進行樣品檢測。一般 XRF 因儀器設計(左圖),使得其 X-ray 激發光源經由特定角度照射到樣品表面,形成橢圓型 spot size,解析度限制在 10-25 μm。

實際案例:從下半部的右圖實際測試中可得到 iXRF 5μm resolution,得到的樣品畫質較佳

高乘載、大面積樣品台:可乘載 10 kg 樣品,XYZ 方向移動進行樣品區域分析

μ-XRF 樣品台可容納大片 wafer 或 IC 樣品,最大移動範圍 600 x 300 x 210 mm (XL)。

可檢測多種型態樣品:固態、液態、粉末、無導電樣品皆可分析。

高 S/N 值

以下為 400 ppm 濃度比較圖,可得知 μ-XRF 相較於 SEM-EDS 可得到較佳的 S/N 值,Detection limit 接近於 low ppm。

  

 

高準確度與精確度:解決 peak overlap issue

如下圖所示,μ-XRF 高解析度,清楚分出 S、Mo、Pb 譜線

  

樣品元素mapping 分析:

μ-XRF 可進行 400x300 mm(XL) 樣品 mapping,進行顆粒及低濃度痕量元素分析。

 

產品詳細規格

 

ATLAS M

ATLAS XL

Sample Types

Solids, Liquids, Particles, Powders

Sample Chamber Size

508x457x254mm

950x650x365mm

Measurement Media

Air, Vacuum, He

Excitation Source 

Primary: 50W / 50kV / 1mA
Secondary: 10W / 50kV / 0.2mA

Excitation Parameters 

Aperture or Polycapillary Collimation
Target Materials: Rh (others available)
Tube: 50kV, 50W, 1mA (optional 2nd tube)
Spot Size: ≤5-1000μ
Filters: Up to 8

Detector

SDD (Si-Pin upon request)
Resolution: 130-145eV
Active Area: 30-150mm2 (Up to 600mm2)

Stage

Motorized X,Y,Z (available)
Up to 220x220x120mm ranges available
10kg+ load capacity

Motorized X,Y,Z (available)
Up to 600x300x210mm ranges available
10kg+ load capacity

Sample Travel

Total: 220x220x120mm
Mapping: 220x200mm
Map Scan Speed: 1-3ms/pixel
Sample Speed: up to 300mm/second

Total: 600x300x210mm
Mapping: 400x300mm
Map Scan Speed: 1-3ms/pixel
Sample Speed: up to 400mm/second

Sample View

Three Sample Positioning and Analysis Cameras

Element Range

Na-U

Quality and Safety

CE certified RoHS, Radiation < 1 μSv/h

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